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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心材料制備/樣品合成納米直寫(xiě)、光刻設(shè)備Microwriter ML3小型臺(tái)式無(wú)掩膜光刻系統(tǒng)

小型臺(tái)式無(wú)掩膜光刻系統(tǒng)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Microwriter ML3小型臺(tái)式無(wú)掩膜光刻系統(tǒng),具有結(jié)構(gòu)小巧緊湊(70cm X 70cm X 70cm),無(wú)掩膜直寫(xiě)系統(tǒng)的靈活性,還擁有高直寫(xiě)速度,高分辨率的點(diǎn)。采用集成化設(shè)計(jì),全自動(dòng)控制,可靠性高,操作簡(jiǎn)便。適用于各種實(shí)驗(yàn)室桌面。

產(chǎn)品型號(hào):Microwriter ML3
更新時(shí)間:2024-04-18
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問(wèn)量:6741
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小型臺(tái)式無(wú)掩膜光刻系統(tǒng) 

 

    小型臺(tái)式無(wú)掩膜光刻系統(tǒng)Microwriter ML3是英國(guó)Durham Magneto Optics公司為實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),為微流控、SAW、半導(dǎo)體、自旋電子學(xué)等研究域提供方便高效的微加工方案。

    傳統(tǒng)的光刻工藝中所使用的鉻玻璃掩膜板需要由業(yè)供應(yīng)商提供,但是在研發(fā)環(huán)境中,掩膜板的設(shè)計(jì)通常需要經(jīng)常改變。無(wú)掩膜光刻技術(shù)通過(guò)以軟件設(shè)計(jì)電子掩膜板 的方法,克服了這問(wèn)題。與通過(guò)物理掩膜板進(jìn)行光照的傳統(tǒng)工藝不同,激光直寫(xiě)是通過(guò)電腦控制系列激光脈沖的開(kāi)關(guān),在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。

ML3.jpg

    Microwriter ML3 是款多功能激光直寫(xiě)光刻系統(tǒng),具有結(jié)構(gòu)小巧緊湊(70cm X 70cm X 70cm),無(wú)掩膜直寫(xiě)系統(tǒng)的靈活性,還擁有高直寫(xiě)速度,高分辨率的點(diǎn)。采用集成化設(shè)計(jì),全自動(dòng)控制,可靠性高,操作簡(jiǎn)便。適用于各種實(shí)驗(yàn)室桌面。

 

產(chǎn)品點(diǎn)  

Focus Lock自動(dòng)對(duì)焦功能 
Focus Lock技術(shù)是用自動(dòng)對(duì)焦功能對(duì)樣品表面高度進(jìn)行探測(cè),并通過(guò)Z向調(diào)整和補(bǔ)償,以保證曝光分辨率。
光學(xué)輪廓儀 
Microwriter ML3 配備光學(xué)輪廓探測(cè)工具,用于勻膠后沉積層,蝕刻層,MEMS等前道結(jié)構(gòu)的形貌探測(cè)與套刻。Z向高精度100 nm,方便快捷。

focuslock.png

Profiometer.png

標(biāo)記物自動(dòng)識(shí)別
點(diǎn)擊“Bulls-Eye”按鈕,系統(tǒng)自動(dòng)在顯微鏡圖像中識(shí)別光刻標(biāo)記。標(biāo)記物被識(shí)別后,將自動(dòng)將其移動(dòng)到顯微鏡中心位置。
直寫(xiě)前預(yù)檢查
軟件可以實(shí)時(shí)顯微觀測(cè)基體表面,并顯示預(yù)直寫(xiě)圖形位置。通過(guò)實(shí)時(shí)調(diào)整位置、角度,直到設(shè)計(jì)圖形按要求與已有結(jié)構(gòu)重合,保證直寫(xiě)準(zhǔn)確。

Bullseye.png

VMA.png

簡(jiǎn)單的直寫(xiě)軟件

MicroWriter 由個(gè)簡(jiǎn)單直觀的Windows界面軟件控制。工具欄會(huì)引導(dǎo)使用者進(jìn)行簡(jiǎn)單的布局設(shè)計(jì)、基片對(duì)準(zhǔn)和曝光的基本操作。該軟件在Windows10系統(tǒng)下運(yùn)行。

Clewin 掩模圖形設(shè)計(jì)軟件 

可以讀取多種圖形設(shè)計(jì)文件(DXF, CIF, GDSII, 等)

可以直接讀取TIFF, BMP 等圖片格式

書(shū)寫(xiě)范圍只由基片尺寸決定

software.png

 clewin.jpg

 

產(chǎn)品參數(shù) 

Microwriter ML3基本型增強(qiáng)型旗艦型
 大樣品尺寸155×155×7mm155×155×7mm230×230×15mm
 大直寫(xiě)面積149mm x 149mm149mm x 149mm195mm x 195mm
 曝光光源405 nm LED 1.5W405 nm LED 1.5W385 nm LED 適用于SU-8 
(365+405nm雙光源可選)
 直寫(xiě)分辨率1μm1μm and 5 μm0.6μm, 1μm, 2μm, 5μm
 直寫(xiě)速度20mm2/min @ 1μm20mm2/min @ 1μm
120mm2/min @ 5μm
25mm2/min @ 0.6μm
50mm2/min @ 1μm
100mm2/min @ 2μm
180mm2/min @ 5μm
 對(duì)準(zhǔn)顯微鏡鏡頭x10x3 and x10 自動(dòng)切換x3, x5, x10, x20 自動(dòng)切換
 多層套刻精度±1μm±1μm±0.5μm
 小柵格精度200nm200nm100nm
 樣品臺(tái)小步長(zhǎng)100nm100nm50nm
 光學(xué)輪廓Z分辨率無(wú)(可升)300nm100nm
 樣品表面自動(dòng)對(duì)焦
 灰度直寫(xiě)(255)
 自動(dòng)晶片檢查工具無(wú)(可升)
 溫控樣品腔室無(wú) (可升)無(wú) (可升)
 虛擬模板校準(zhǔn)工具無(wú)(可升)無(wú)(可升)
 氣動(dòng)減震光學(xué)平臺(tái)無(wú)(可升)無(wú)(可升)

 

應(yīng)用案例

 

直寫(xiě)分辨率1μm

resolution1.png

 

直寫(xiě)分辨率0.6μm

resolution0_6.png

 

微電制備 

光刻膠上的圖形  Au電 (SEM) Au電(SEM) 
microelectrode1.jpgmicroelectrode2.jpgmicroelectrode3.jpg
設(shè)計(jì)圖 光刻膠上的圖形   放大圖的顯微結(jié)構(gòu)
microelectrode2-design2.jpgmicroelectrode2-1.jpgmicroelectrode2-2.jpg

 

微結(jié)構(gòu)制備

microstructure1.jpgmicrostructure2.jpg
microstructure2-1.jpgmicrostructure2-2.jpg

 

微流通道制備 

microfluid1.jpgmicrofluid2.jpg

 

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